NE-RE04H反应离子刻蚀机主要由真空系统、气体控制系统、RF（射频）发生器、温控系统等组成。RIE刻蚀系统采用平行电极电容耦合等离子体刻蚀结构，在高频电场作用下，刻蚀气体被激发形成等离子体，其中带电离子在电场作用下加速并沿垂直方向撞击样品表面，使样品表面发生物理刻蚀的同时，等离子体环境中的活性基团与目标材料发生化学反应，生成易挥发的气体化合物，这些气体随后被真空泵抽走，从而实现样品表面材料的选择性去除，刻蚀过程持续进行，直至达到所需的深度和结构。RIE刻蚀具有高分辨率、各向异性刻蚀、高选择性以及对样品损伤较小的优点。其中高分辨率使其可实现纳米级别的精细刻蚀，各向异性刻蚀保证刻蚀方向主要沿垂直方向，有利于形成高深宽比结构，高选择性使得通过优化气体组合可以控制不同材料的刻蚀速率，提高对掩膜层或其他区域的保护，较低的损伤则相较于湿法刻蚀更适用于高精度器件加工。

可刻蚀的材料范围广泛，包括：介电材料（SiO2、SiNx等），硅基材料（Si，a-Si，polySi），III-V材料（GaAs、InP、GaN等），类金刚石碳（DLC），有机材料（PR，PMMA，HDMS，有机膜）等。