1.设备基片适配：兼容 φ4 英寸标准样片，支持多体系薄膜各向异性精密刻蚀，至少覆盖单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO₂、Si₃N₄、TaN、Ta、Ti、W、Mo、光刻胶聚合物等材质，适配高端微纳、微机电系统（MEMS）精密加工制程。

2.等离子发生系统：13.56MHz 射频电源，额定功率 300W，搭载高速全自动精密阻抗匹配模组，输出功率稳定性≤±0.5%；集成过压、过流、过温、反射功率多重安全防护，设备反射功率阈值≤10%。

3.反应腔体结构：腔体采用高纯316L或更优不锈钢一体化成型，腔体规格≥Φ210mm×H160mm；载片刻蚀台有效直径≥Φ119mm，内壁等离子钝化处理。
4.真空机组配置：配套国产品牌无油干泵 + 高抽速分子泵复合真空系统，搭载高真空挡板阀、精密流量蝶阀双级隔离结构。
5.真空性能指标：设备极限本底真空可达≤ 5.0×10⁻⁴Pa，整机静态密封漏率≤1.0×10⁻⁷ Pa・m³/s。
6.真空检测组件：配置集成复合真空计，集成电阻规、电离规双路实时真空在线监测。
7.真空管路与破真空：全管路采用电解抛光 316L 不锈钢或更优洁净管道，腔体采用≥ 99.99% N₂惰性气体破真空。
8.放电设计：采用电容耦合式 CCP 等离子激发结构，配置独立可控衬底偏压电源，离子能量、等离子功率双向独立可调。
9.工艺气体流量控制：配置高精密质量流量计，至少支持O2、Ar、N2等气体，满量程控制精度 ±1% FS，搭配气动密封式高纯气体截止阀。
10.        气路管道标准：整套工艺气路全部采用 316L 或更优不锈钢洁净无缝管路，无析出、无颗粒脱落。
11.        恒温冷却系统：定制一体式加厚不锈钢水冷承载底盘，闭环循环温控区间至少包括25℃~40℃。
12.        全域均匀性硬性指标：
12.1.φ4 英寸晶圆全域刻蚀不均匀性≤±5%
12.2．硅基材料刻蚀速率：单晶硅刻蚀速率≥0.5μm/min。
12.3．介质层刻蚀速率：二氧化硅、氮化硅刻蚀速率均≥0.2μm/min，适配介质薄膜刻蚀工艺。
12.4.拓展工艺兼容性：各类难熔金属、氮化金属、有机聚合物薄膜可通过工艺参数调试实现定制化刻蚀加工。