感应耦合等离子刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etching，ICP)作为先进的干法刻蚀装置，在半导体制造和微纳加工领域具有重要应用价值。该设备工作时，首先在真空低气压环境中，利用ICP射频电源向环形耦合线圈输送射频能量，促使刻蚀气体通过耦合辉光放电形成高密度等离子体。随后，下电极施加的RF射频使等离子体内的高能离子定向轰击基片表面，破坏半导体材料化学键的同时与刻蚀气体发生化学反应，生成的挥发性产物被真空系统排出。该技术具有显著优势：一方面其产生的等离子体密度高，可实现快速且均匀的刻蚀；另一方面，通过独立调控等离子体密度和离子轰击能量，能够获得优异的各向异性刻蚀效果，确保侧壁垂直度，从而满足高精度微纳结构制备的工艺要求。该技术对材料的损伤较小，适用于多种材料的刻蚀，包括硅、二氧化硅、压电材料、聚合物等。