NE-ICP08是一款高密度电感耦合等离子干法去胶设备，核心适配8英寸及以下尺寸的半导体晶圆、MEMS器件的光刻胶去除与灰化工艺。设备采用ICP等离子体源+精准温控加热盘协同工作，实现高速、低损伤、高均匀性去胶，兼顾正/负性光刻胶、聚酰亚胺（PI）等多种有机残留的去除需求，广泛适用于芯片制造、MEMS封装、先进封装等场景。

产品特点： 1、高密度等离子+加热协同：ICP等离子源提供高密度活性粒子（电子密度≥10¹¹cm⁻³），搭配底部独立控温加热盘，去胶速率较传统RIE设备提升30%以上； 2、高均匀性结构设计：采用喷淋头进气+腔体正下方径向抽气结构，8寸晶圆范围内去胶均匀性≤±5%（去除边缘5mm）； 3、精准温控适配多元工艺：加热盘支持室温~400℃宽范围控温，可根据光刻胶类型、残留厚度自定义温度曲线，适配高温去胶、低温低损伤等多元场景 4、自动化操作设计：设备预留对接EFEM窗口，可实现晶圆全自动去胶；支持工艺配方存储、一键调用，满足批量生产需求； 5、安全冗余设计：配备气体压力报警、真空异常报警、过温保护、紧急停止等多重安全联锁，符合半导体制造车间规范。