产品简介
ICP电感耦合晶圆等离子去胶机,是半导体微纳加工领域的高效干法去胶解决方案,专为晶圆光刻胶去除工艺打造,以全自动化作业与高精度工艺表现,适配半导体、MEMS、光电器件等领域的量产与研发需求。设备搭载双料匣储料设计,配合高精度自动机械手完成晶圆上下料全程自动化操作,双料仓交替供料实现无间断作业,大幅减少人工干预、降低人力成本,同时提升产线流转效率;机械手精准定位传输,有效避免晶圆接触式损伤,保障制程良率。核心等离子去胶单元采用先进干法工艺,真空腔体内高能等离子体快速分解光刻胶并转化为挥发性气体排出,全程无化学溶剂残留、无酸废水排放,环保且让晶圆表面洁净无划痕;搭配精准的工艺参数调控与均匀的等离子体分布,实现高去胶速率与优异的工艺均匀性,水冷电极冷却系统精准控温,避免光刻胶变性,满足正 / 负性光刻胶、PI 光刻胶等多种胶层的高效去除需求。设备集自动化、高精度、高稳定性于一体,操作便捷且工艺可追溯,为晶圆加工提供高效、洁净、可靠的去胶工艺支撑,助力产线智能化升级与制程效率提升。
产品参数
| 产品进料/收料方式 | 双料匣(4寸),单进单收 |
| 真空腔体尺寸 | W220*L220*H160 |
| 主体设备尺寸 | 1600mm(L)×1000(W) ×1800 mm(H) |
| 料爪升降行程 | 50 |
| 通油电极盘 | ₵130 |
| 机器人 | 晶圆机器手0.8KG负载,真空吸附手指兼容4寸/3寸 |
| 电源 | 380V、50 Hz |
| 压缩空气 | 0.4-0.6MPa |
| 环境需求 | 温度:15~25℃湿度:40~60% |
| 工艺气体 | 氧气 氩气 氮气 四氟化碳(4路) |
| 破空气体 | 氮气破空 |
| 可去胶产品规格 | 4寸/3寸 |
| 等离子效应 | ICP(电感耦合)+CCP(电容耦合RF偏压) |
| 控制方式 | PLC+触摸屏 |
| 离子源 | 射频13.56MHZ ICP功率1000W,CCP功率1000W数字电路,MES数据监控 |
| 极限真空度 | <10pa |
| 电极盘温度 | 0-100℃ |
| 控温精度 | ±3℃ |
| 真空泵 | 干泵机组240m³/H |
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