全自动 ICP电感耦合等离子去胶机
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产品简介

ICP电感耦合晶圆等离子去胶机,是半导体微纳加工领域的高效干法去胶解决方案,专为晶圆光刻胶去除工艺打造,以全自动化作业与高精度工艺表现,适配半导体、MEMS、光电器件等领域的量产与研发需求。设备搭载双料匣储料设计,配合高精度自动机械手完成晶圆上下料全程自动化操作,双料仓交替供料实现无间断作业,大幅减少人工干预、降低人力成本,同时提升产线流转效率;机械手精准定位传输,有效避免晶圆接触式损伤,保障制程良率。核心等离子去胶单元采用先进干法工艺,真空腔体内高能等离子体快速分解光刻胶并转化为挥发性气体排出,全程无化学溶剂残留、无酸废水排放,环保且让晶圆表面洁净无划痕;搭配精准的工艺参数调控与均匀的等离子体分布,实现高去胶速率与优异的工艺均匀性,水冷电极冷却系统精准控温,避免光刻胶变性,满足正 / 负性光刻胶、PI 光刻胶等多种胶层的高效去除需求。设备集自动化、高精度、高稳定性于一体,操作便捷且工艺可追溯,为晶圆加工提供高效、洁净、可靠的去胶工艺支撑,助力产线智能化升级与制程效率提升。

产品参数

产品进料/收料方式双料匣(4寸),单进单收
真空腔体尺寸W220*L220*H160
主体设备尺寸1600mm(L)×1000(W) ×1800 mm(H)
料爪升降行程50
通油电极盘₵130
机器人晶圆机器手0.8KG负载,真空吸附手指兼容4寸/3寸
电源380V、50 Hz
压缩空气0.4-0.6MPa
环境需求 温度:15~25℃湿度:40~60%
工艺气体氧气 氩气 氮气 四氟化碳(4路)
破空气体氮气破空
可去胶产品规格4寸/3寸
等离子效应ICP(电感耦合)+CCP(电容耦合RF偏压)
控制方式PLC+触摸屏
离子源射频13.56MHZ ICP功率1000W,CCP功率1000W数字电路,MES数据监控
极限真空度<10pa
电极盘温度0-100℃
控温精度±3℃
真空泵干泵机组240m³/H


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