1.支设备应用范围：持8 英寸及以下晶圆加工，可实现晶圆去胶、PI 材料去除、表面有机物剥离、光刻胶（PR）边缘修整及等离子体表面活化改性工艺，覆盖多品类精密制程需求。

2.工作台载台规格：样片大小及数量：φ6 英寸样片1 片或散片多片。

3.加工适配规格：支持6 英寸标准单片晶圆精密加工，同时兼容多规格散片批量制程，可适配实验室研发、批量生产等多场景生产需求。

4.离子源功率：配置1000W 高能射频离子源，能量输出持续稳定，刻蚀反应均匀可控，无局部工艺偏差。

5.离子源工作频率：采用13.56MHz 专用射频工作频段，设备抗干扰性能强，工艺重复性、稳定性高，可长期连续作业。

6.工艺气路配置：配备4 路独立MFC 高精度气体流量控制系统，支持多路工艺气体精准配比与时序控制；气路整体耐腐蚀，可适配含氟等特种工艺气体使用。

7.极限真空度：设备腔体极限真空度≤2×10⁻⁴Pa，满足半导体高洁净精密制程工艺要求。

8.系统漏率：设备停机静置12h 后，腔体静态升压≤5 Pa，设备长效保压性能稳定，无漏气泄压问题。

9.静态升压指标：设备停机静置12h 后，腔体静态升压≤5 Pa，设备长效保压性能稳定，无漏气泄压问题。

10.真空抽气速率：

（1）腔体抽至5×10⁻³ Pa 时长≤15min；

（2）腔体抽至9×10⁻⁴Pa 时长≤40min；真空建立效率高，可满足快速投产需求。

11.刻蚀均匀性：6 英寸晶圆全域范围内，刻蚀不均匀性≤±5%，整体加工一致性、均匀性优异。

12.光刻胶刻蚀速率：标准工况下光刻胶刻蚀速率≥0 .5μm/min，可根据加工材料、工艺需求灵活调整加工参数，适配差异化生产制程。